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正文 第九十一章 芯片与光刻(第2页/共3页)


“光敏型的聚酰亚胺材料?”

周飞宇心中一动,脑海里立即浮现出有关“中级薄膜技术”中针对超薄、特殊性能的薄膜的一些相关知识。

其中,的确提到可用于光刻胶的一些光敏型聚酰亚胺材料。

光刻胶,顾名思义,用于光刻的一种胶。

所谓光刻,字面意思就是用光去雕刻。

当然,自然界的光,以及各种极紫外线,是无法直接像一把刀一样去雕刻东西的,只有那种具有超高能量的激光之类,才能用于直接雕刻。

在芯片领域的光刻,是利用某些具有对光线非常敏感特性的胶,均匀涂抹在晶圆上,然后再在胶的表面贴付一层薄膜,这层薄膜被设计成需要的电路图案。光线从电路图案中穿过,照射到胶的表面,胶因为对光线敏感于是发生反应,显露出和电路图案相同或相反的电路图案来,那些没有被光线照射到的地方,自然还是被胶覆盖着。

然后,将晶圆浸入特制的溶液当中。

如此一来,被胶覆盖着的地方,晶圆被保护了起来,没有变化。而那些没有胶的地方,特制溶液就将晶圆腐蚀了。

腐蚀的痕迹,自然就和电路图案相同或者相反。

晶圆从特殊溶液中取出,用纯净水一冲,上面就留下了所需要的电路图案。

所以,与其说是光刻,不如说是蚀刻,腐蚀雕刻,只是这种“腐蚀雕刻”比一般所说的腐蚀雕刻在精度上高了n个等级,不可同日而语,所以起了个比较高大上的名字“光刻”。

大致原理如此,但知易行难。

一个小小的芯片,集成的电路宛若一个小型的世界,这里面的精度以纳米计算。

只是辅助生产用的光刻胶,它所限制的厚度也都是以纳米来计算。

譬如20纳米制程的芯片制造,需要的光刻胶厚度就不能超过100个纳米,更为先进的3-10纳米制程芯片,它所需要的光刻胶厚度就可想而知了。

周飞宇暗暗思考了一会,知道以飞扬新材料目前的设备以及制程能力来说,还达不到这种技术,还需要一段时间的发展和扩充。

“方便透露下,中正公司目前是在和哪家公司联合研发这一块吗?”

周飞宇嘴上却没说什么,反而问了起来。

“目前中正公司正在和金陵的华科新材公司合作,有望这个月完成arf线光刻胶的测试工作,下个月进入试产阶段。”

余龙光这会没有隐瞒了,直接说道。 『加入书签,方便阅读』
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