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正文 第049章 捅破一层窗户纸(第1页/共3页)

第一次进入清大光刻机车间,赵国庆有些激动,直接直奔主题,几个关键技术。

“何教授,你们这光刻机用的什么光源?”

“你还真懂光刻机啊!”

赵国庆笑了笑:“书上有介绍!”

何振华说:“用的高压汞灯光源,436纳米的蓝光汞g线,这类高压汞灯光源目前已经达到国际先进水平!”

好吧,国际先进水平,国际上十年前都已经开始研究波长更短的紫光激光电源了。

赵国庆想起kbbf晶体,前世的他发现kbbf晶体在零下213摄氏度的时候,出现超导现象。

就在他用x光穿透kbbf晶体,想要检测kbbf晶体的分子结构时,发现进入超导状态的kbbf晶体,竟然可以反射x光。

这可是了不得的发现。

x光因为有强大的穿透力,目前任何透镜都不能让他转移方向,而kbbf晶体如果能让x光反射的话,可以通过凹面镜,缩小掩膜版的图像,对光刻机光源有着颠覆的变革。

可惜的事,发现这件事后,没多久就挂了,没有再研究下去。

不过,现在,他有足够的时间继续这项研究。

何振华教授继续介绍,从口气中听出的,全部是遥遥领先。

“采用的是国际先进的非接触式透镜曝光方法,成像质量高,比起三年前h大制作的接触式曝光,可以显著提高掩膜版的使用寿命,并且透镜曝光可以以掩膜版比光刻图案5:1的比例,可以制造更复杂的芯片。”

赵国庆点点头,他虽然对光刻机算不上内行,但怎么也能说是见多识广。

tel、ib的芯片制造厂他都进去过,从九十年代一直到2023年,国外光刻机一路演变,他还是清楚的。

“436纳米的蓝光汞g线光源,加上非接触式掩膜曝光工艺,理论上可以制造一微米制程的芯片!”

若采用多重曝光甚至可以制造500纳米制程的芯片,或者水膜浸润工艺,当然技术难度更高一些,极致可以制造250纳米芯片,这些话没办法说。

至于用九十年代发明的kbbf晶体升级极紫外光,还有双工台提升商用制造效率,现在还是没影的事。

能不能现在开始布局?

没说的,肯定要干啊!

赵国庆的问题,何振华教授没有回答,而赵国庆也发现了一些问题。

“校准采用的是人工校准!”

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