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正文 第033章 艰难的抉择(第1页/共3页)

氮化镓发光半导体,在水平面上制造制程比较低,哪怕是300微米也没问题。

但在垂直层上,要求可高了。

这些层厚,是以纳米来计量的。

这需要严格的操作环境和检测工具。

比如原子蒸馏,需要气化金属的温度上下误差不超过十度,这可是几千度的高温条件,还要在真空环境下,或者充满惰性气体的环境。

至于测量,更是要命。

需要精确的电子测量仪,用到环形加速器,所带的电子福特能量,精确到小数点后四位,通过基层上埋设的反射材料,通过高敏光电半导体,检测反射后的电子能量的消减,来测算厚度。

高精度电子加速器、高敏光电半导体,相应的计算处理芯片……

“这特么都是坑啊,填不平的,国内还没有能力造出来。”

赵国庆的优势就是,可以通过理论计算,设计最佳的外延层厚度,最佳的掺杂纯度以及p极、n极厚度和材料,还有pn极的场效应结构。

这些东西需要西方再摸索二十年。

无论厚度、纯度还是材料的纯度、结构,差之毫厘,谬之千里,这也是西方很多科学家,放弃研究氮化镓发光半导体的原因。

因为他们做的实验,氮化镓发光半导体的性能,根本没那么出色。

哪怕日本的中村修、赤琦勇、田野浩发明蓝光led的时候,事实上,那时候的蓝光led的表现只能说出色,还谈不上惊艳。

十倍光效的蓝光led,还需要全世界研究三十年。

赵国庆长叹一口气,在他看来,中西五年的蜜月期,引进这些设备,才是最要紧的。

再看看隔壁的毛熊。

他们难道不愿意使用更轻便的半导体芯片吗?克伯格甚至偷来了美利坚最先进的芯片图纸。

可有什么用。

糟糕的制造工艺,让他们生产出来的芯片,性能根本满足不了军工的苛刻要求。

这也逼的他们,不得不深耕电子管技术,只能在辅助设备上,使用半导体芯片。

要知道,同样的14纳米制程,也存在着巨大的技术鸿沟。

别以为制程赶上来了,就能达到先进水平了。

还远的很。

当然,这也逼的毛熊,依靠糟糕的材料、粗糙的加工、落后的电子技术, 『加入书签,方便阅读』
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