象’多穴晶体’的厚度比’多键晶体’薄上很多，而且’多穴晶体’的热掺杂率远远小于’多键晶体’。
“为了表述方便，可以把该结构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。
“’集键区’与’基区’之间是第一个’键穴结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键穴结’，可称为’下方结’。
“在’基区’与’发射区’之间外接正向元压Va，构成第一个回路，其中元流记为Ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为Vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为Ia与Ib的和。
“这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…
“’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：
“调整回路，使得元压Vc大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压Vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。
“前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空穴；
“而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结’的元流方向相同，所以两个’键穴结’中的键子迁移方向也相同，在适当元压的作用下，’下方结’中的大量多余键子便会穿过’基区’，进入到’上方结’中。
“如前所述，这种键子迁移作用是晶体内部元流的一种可能形式，而且键子迁移作用越高，内部元流也就越大。
“从’下方结’到’上方结’的键子迁移形成的元流，与’上方结’中本身存在的反向饱和元流加在一起，便是’共发射区’回路模式中，第二个回路的输出元流。
“在这种情况下，由于’下方结’中的大量键子进入到第二个回路当中，第一个回路中的键子迁移作用便明显很少，根据回路中元压值的设置，以及上述’键穴结’的思想，可以近似认为，第一个回路中的元流只由少量键子与少量空穴结合产生，而且’下方结’中的少量键子填入’基区’空穴后，又在外加元压Va的作用下，源源不断流出’下方结’，’下方结’的空穴便也源源不断出现，从而持续驱动整个回路，使得总体的键子迁移作用持续下去。
“’上方结’中的反向饱和元流极小，在计算中可以忽略，则元流Ib可近似为从’下方结’到’上方结’的大量键子迁移，而元流Ia是’下方结’中的少量键子迁移，元流Ia与Ib之间近似拥有一种比例关系，即Ib=αIa，这个α，便是’反接双结字符组合’中的’元流放大系数’。”
“当然，不同形式的’反接双结字符组合’在实际使用中，拥有不同的’元流放大系数’，归根结底却只是’结’字符绘制形式的不同，在’键穴结’思想中，’元流放大系数’也受到三段晶体的厚度与热掺杂率的影响，从而出现不同的数值。
“上述部分是’反接双结字符组合’的基础，可以看到，
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